奈米線UV LED燈珠打敗功率衰減問題
沙特阿拉伯阿布杜拉國王科技大學(xué)的研討人員在《光學(xué)快遞》（Optics Express）刊中宣告壹種規(guī)劃紫外UV LED燈珠的新途徑，能讓依據(jù)氮化鋁鎵（AlGaN）的UV LED燈珠功率不至於衰減。
該研討的壹項(xiàng)幽默之處在於選用鈦塗覆的低成本矽基板來生長(zhǎng)奈米線，這不僅能讓制程變得易於擴(kuò)展，還能結(jié)合鈦金屬層帶來的許多優(yōu)勢(shì)，包括更高的UV反射、更好的熱耗散，以及改善流註入。
依據(jù)氮化鋁鎵（AlGaN)的UV LED燈珠存在較低的內(nèi)部量子功率、低擷取功率、低摻雜功率、極化電場(chǎng)大以及差排密度外延高檔缺陷，這些都約束了UV LED燈珠在高功率的運(yùn)用。
研討人員壹開始選用鈦掩蓋的矽晶圓以及依托電漿輔佐的分子束外延（PAMBE），使其得以生長(zhǎng)有用隔絕的無缺陷矽摻雜氮化鎵（GaN）奈米線，其間每壹個(gè)都嵌入10個(gè)均勻構(gòu)成AlGaN／AlGaN量子磁盤（Qdisk）的庫房。
雖然每壹發(fā)射奈米線的直徑約8nm、長(zhǎng)約350nm，但在實(shí)踐的實(shí)驗(yàn)中，肉眼可見的大型LED燈珠是由壹整區(qū)布滿堆積的垂直擺放奈米線（以大約9x109 cm＾?2的密度）所組成。
該組件在鈦塗覆的n型矽基板上生長(zhǎng)，以改善電流註入與熱耗散，它們?cè)?37nm （具有11．7nm的窄線寬）時(shí)發(fā)射UV光源，其電流密度為32A ／ cm＾2 （在0．5×10 ．5mm＾2組件上約80mA），導(dǎo)通電壓約為5．5V。
在高達(dá)120A／cm＾2的註入電流下，AlGaN奈米線UV LED燈珠仍能堅(jiān)持功率毫無衰減地作業(yè)。
